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       硅碳棒電阻率(re,WVtv)是表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量(某種材料制成長(zhǎng)為1m，橫截面積為1m-的導(dǎo)體電阻，在數(shù)值上等于這種材料的電阻率下它是反映物質(zhì)對(duì)電流阻礙作用的屬性，其不僅與材料種類(lèi)有關(guān)，還與溫度、壓力和磁場(chǎng)等外界因素有關(guān)在溫度一定的情況下，材料電阻:(1)式中:P為電阻率;乙為材料長(zhǎng)度;5為橫截面積可以看出，材料的電阻大小與長(zhǎng)度成正比，即在材料和橫截面積不變時(shí)，長(zhǎng)度越長(zhǎng)，材料電阻越大;而與材料橫截面積成反比，即在材料和長(zhǎng)度不變時(shí)，橫截面積越大，電阻越小因此電阻率:試驗(yàn)測(cè)得硅碳棒在200,400,600200(時(shí)的電阻，如表2所示發(fā)熱元件硅碳棒的電阻率是一個(gè)變化的參數(shù)，200800℃時(shí)段，其電阻率快速由大變小，800--200℃其電阻率緩慢由小變大。不同溫度時(shí)硅碳棒電阻硅碳棒負(fù)荷密度與爐膛溫度和其表面溫度的關(guān)系負(fù)荷密度是表征負(fù)荷分布密集程度的量化參數(shù)，硅碳棒表面負(fù)荷密度是指單位面積的發(fā)熱功率，功率大小與硅碳棒的表面溫度和其所在環(huán)境溫度即爐膛溫}X有關(guān)，具體關(guān)系用熱輻射定律計(jì)算:口=5.75P[(T,l1000)-(T=l1000)F(3)式中:P為發(fā)熱部輻射能量.W;1為發(fā)熱部黑度，SiC為0.87;T.為發(fā)熱部表面溫度,K;T,為爐膛溫度，K;F為發(fā)熱部表面積，cm`將代人，得到硅碳棒元件的表面負(fù)荷密度8=(}lF=5.75x0.87x[(T,/1000)0-界!l000)]=Sx[(T,l1000)-(T_l1000)(4)代入爐膛、硅碳棒溫度，計(jì)算硅碳棒的負(fù)荷密度，如表3所小。http://www.zsrider.com/