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       還顯示池壁的侵蝕是在靠近硅碳棒電極最近的部位尤為嚴重，池墻垂直方向的侵蝕以硅碳棒電極頂部附近最顯著，因為此處的池墻磚所受溫度較高，玻璃液流沖刷較大。一般熔制鈉鈣-玻璃時，它從所接觸的池墻磚上吸收了氧化鋁等物質使自身密度增大，流動自上而下進行，造成如圖所示的磚材侵蝕。

       液流沖刷和熱沖擊，在垂直布置硅碳棒電極的垂直烙化過程中主要表現(xiàn)為玻璃液重力對流所引起的對池墻磚的侵蝕，其侵蝕速率為式中S—因垂直對流所引起的單位侵蝕量噸/m-s,—界面上材料溶解的飽和濃度與實際濃度之差k malm, D一擴散系數(shù)，到-液流距磚的距離m，—運動粘度。

       上式表明，侵蝕速率與密度差!成正比，且與液流距離J成反比，即設外環(huán)流間斷有序地沖擊池墻，沖擊部位侵蝕最嚴重，隨著這股沖擊液流沿池壁下流時，池墻侵蝕銳減，造成圖8所示的磚侵蝕。

       對運行三年3d鈉鈣玻璃全電熔爐進行測定，結果如表3所示，對流速度、磚質及溫度對磚侵蝕起主導作用。及硅碳棒電極侵蝕另外，在垂直布置硅碳棒電極的電熔爐中，其體積熔化率要大于同樣數(shù)量水平布置硅碳棒電極電熔爐的體積熔化率。因為前者所產生的玻璃液流動較后者更均勻有效。垂直硅碳棒電極根部附近的玻璃液溫度較低，因此硅碳棒電極磚侵蝕不明顯，一個爐齡以后，鋪底磚基本完好，所以底板磚厚度一般選擇為池壁磚的三分之一左右即可。

       在小型電熔爐中，垂直布置硅碳棒電極大致有圖所示幾種。硅碳棒電極布置一般要考慮硅碳棒爐型、規(guī)模、熔制品種和工藝，以及所選用的硅碳棒電極材料和池坡磚材料等諸因素。的硅碳棒電極布置是目前常用的方式，它具有安裝簡便，控制容易等優(yōu)點;(a腳)中傾斜硅碳棒電極布置能減少硅碳棒電極對池壁侵蝕，使熔制工藝更合理。傾斜角度在為宜。但這種布置的安裝、操作難度較高;C8)和(j中的硅碳棒電極布置，一般用于特殊要求或特種玻璃熔制的場合。

       表中看出，在相同電功率情況下，較短硅碳棒電極產生的最高溫度要高于較長硅碳棒電極產生的最高溫度，而且前者產生較后者更高的對流。這是因為較短硅碳棒電極電流密度大所至。較短硅碳棒電極頂部電流密度是其底部的2倍以上。熱對流和熱膨脹使大部分電能在硅碳棒電極頂部釋放，電流密度過大時，處于交流波上半周那根硅碳棒電極表面會產生氣泡，這主要是0。一來不及遷移及接觸界面玻璃過熱分解。氣抱不僅造成接觸電壓提高，使周圍繼續(xù)過熱形成熾熱點，而且對硅碳棒電極起氧化作用，在硅碳棒電極表面產生窩坑狀侵蝕。

       硅碳棒電極侵蝕的原因很多，遠不止高溫、電流密度及熱沖刷等影響，還包括烤爐時操作圖xo電流密度為2.5、3直/m，使用3天的硅碳棒電極侵蝕控制、電化學作用玻璃組成及橙清劑等的影響需加以認真觀察分析、綜合考慮。http://www.zsrider.com/