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       區(qū)熔多晶硅產(chǎn)品純度要達(dá)到13N以上，同時(shí)硅碳棒要滿足各項(xiàng)性能指標(biāo)要求。由于研制周期長(zhǎng)、制備難度大，國(guó)外工藝技術(shù)完全封鎖，而國(guó)內(nèi)多晶硅產(chǎn)業(yè)起步較晚，對(duì)高純度產(chǎn)品質(zhì)量的過(guò)程管控、工藝技術(shù)路線及檢測(cè)分析方法等基礎(chǔ)性研究薄弱二本文重點(diǎn)分析了硅烷CVD法和改良西門子法制備區(qū)熔用多晶硅的技術(shù)路線，從產(chǎn)品原料控制、核心設(shè)備結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵材料、反應(yīng)機(jī)理等方面進(jìn)行了綜合分析，在總結(jié)不同工藝路線特點(diǎn)的基礎(chǔ)上對(duì)區(qū)熔多晶硅相關(guān)領(lǐng)域的發(fā)展前景進(jìn)行了展望區(qū)熔用多晶硅材料是區(qū)熔硅單晶片的核心原料，其產(chǎn)品純度要達(dá)到13N以上，有“皇冠明珠”之美譽(yù)，其產(chǎn)品主要用于電子芯片、大功率整流器件及大功率晶體管等領(lǐng)域。目前區(qū)熔硅碳棒的制備技術(shù)主要掌握在美國(guó)和德國(guó)兩家多晶硅制造企業(yè)，全球制造多晶硅的企業(yè)有30多家，而僅有兩家公司具備區(qū)熔用多晶硅的制造能力。中國(guó)現(xiàn)有的巧家多晶硅企業(yè)主要以制備太陽(yáng)級(jí)多晶硅為主，此項(xiàng)技術(shù)完全處于壟斷和封鎖階段。隨著我國(guó)人工智能、航天科技、自動(dòng)化控制、大數(shù)據(jù)以及國(guó)防軍事電子信息化產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，對(duì)高純度的區(qū)熔多晶硅依賴程度與日俱增。2019年以來(lái)，區(qū)熔多晶硅作為國(guó)防科技的關(guān)鍵材料受到較大的影響，政府方面大力支持開(kāi)展相關(guān)研究開(kāi)發(fā)工作，重點(diǎn)解決關(guān)鍵原材料的卡脖子環(huán)境?，F(xiàn)階段區(qū)熔用多晶硅碳棒的制備技術(shù)嚴(yán)格封鎖，國(guó)內(nèi)外無(wú)任何可參考的文獻(xiàn)和專利資料查詢，導(dǎo)致基礎(chǔ)性研究較為薄弱，該產(chǎn)品除純度要求外，硅碳棒要完整，無(wú)裂紋及內(nèi)部缺陷，技術(shù)難點(diǎn)多、難度大。目前區(qū)熔用多晶硅材料全部依賴進(jìn)口，極大制約了我國(guó)集成電路、電子元器件產(chǎn)業(yè)的長(zhǎng)期可持續(xù)發(fā)展。http://www.zsrider.com/