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       從表可知，垂直硅碳棒電極侵蝕量小且比較平均。從其斷面看，整個(gè)圓周侵蝕是比較均勻的。雖然靠近池墻的那部位常被認(rèn)為部位無作用u，即電流密度甚小，但四周上下的液流沖刷侵蝕幾乎是相等的。從使用后的垂直硅碳棒電極金相組織來看J再結(jié)晶穎粒的生長(zhǎng)速度比水平硅碳棒電極小得多，晶粒大小分布均勻，燒結(jié)孔洞較少且仍呈球形，因此，還有較好的拉伸強(qiáng)度及抗蠕變和彎曲性能，見圖從硅碳棒電極侵蝕較大的橫截面能看到邊緣約有0.1mm厚的褐色層，即滲入相表面的氧形成的oOg+1VIoOs層，它們不但會(huì)熔入玻璃液，也會(huì)通過氧化鉑中的氧以熱擴(kuò)散的方式繼續(xù)侵相基體。垂直硅碳棒電極表面擴(kuò)散速度較均勻，約mm/年，氧含量從UsUI多氧的滲入影響鑰機(jī)械強(qiáng)度和耐侵蝕性。鑰侵蝕量可由式價(jià))大致求得，垂直硅碳棒電極不象水平硅碳棒電極局部侵蝕嚴(yán)重，計(jì)算結(jié)果誤差較小。式中為玻瑞中萬。含量1xPm)為玻璃總出料量枯，注為硅碳棒電極使用表面cm,，為熔制)，代入式價(jià))求得時(shí)間h。在運(yùn)行一個(gè)半月的0.5/d電熔爐中熔融的鈉鈣玻璃，萬.含量平均為0.02a鉀00ppm)代入式份)求得鉑侵蝕量為2.2mg/om=h，而水平硅碳棒電極為8...10mgJomh。垂直硅碳棒電極雖有較小的電流密度，但如不加以控制，硅碳棒電極頂端周圍上涌的玻璃液會(huì)“燒穿”配合料層，造成功率控制失調(diào)，使?fàn)t內(nèi)出現(xiàn)嚴(yán)重的熱不穩(wěn)定以至破壞整個(gè)熔制工藝的建立。而且加劇硅碳棒電極及磚材侵蝕。因此，除嚴(yán)格控制輸配電量外，還可由配合料加入量及料層分布來保持“冷爐頂”。通常，“冷爐頂”以每次加料前料面尚未“燒穿”為依據(jù)。料層一般在1om厚為佳。圖1所示，加料周期一般由出料量大小來決定，少加勤加，以使電熔爐維持在一種穩(wěn)定的運(yùn)行狀中。生產(chǎn)實(shí)踐表明:垂直硅碳棒電極不僅廣泛用于電助熔池爐，而且也愈來愈多地用于巾小型電熔爐。在體積熔化率較高的電熔爐中，l產(chǎn)耐火磚材質(zhì)量壽命往往僅三年左右，不能與使用周期長(zhǎng)的垂直硅碳棒電極相適應(yīng)。因此，在改進(jìn)磚材質(zhì)量、合理選擇高質(zhì)量耐火材料如關(guān)鍵部位用磚等的同時(shí)，更要科學(xué)地布置硅碳棒電極，使硅碳棒電極對(duì)耐材的影響降至最小，使它們的壽命相互匹配，從而發(fā)揮出更大的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益。垂直硅碳棒電極比水平硅碳棒電極具有較高且較為平均的對(duì)流速度;能量分布合理均勻;爐內(nèi)“死角少”;池壁侵蝕較均勻;池底硅碳棒電極磚侵蝕甚小;較短的垂直硅碳棒電極比較長(zhǎng)的垂直硅碳棒電極產(chǎn)生更強(qiáng)烈的對(duì)流和更高的溫度;調(diào)節(jié)硅碳棒電極高低，選擇它們的布置角度就能更恰當(dāng)?shù)乜刂撇Ａб毫饕约皽p少對(duì)池壁的沖刷侵蝕。垂直硅碳棒電極在電熔爐中的應(yīng)用，雖然烤爐升溫時(shí)操作難度大，勞動(dòng)強(qiáng)度高，要求有相當(dāng)豐富的實(shí)際操作經(jīng)驗(yàn)，但垂直硅碳棒電極可作為良好的白啟動(dòng)硅碳棒電極而省去了一筆可觀的費(fèi)用，并且在整個(gè)爐齡期間，一般不需特別維修，管理較為方便。http://www.zsrider.com/