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    在傳統(tǒng)光纖工藝的基拙上，提出了一種新的加熱方法沉積光纖預(yù)制硅鉬棒，并對(duì)其進(jìn)行了理論分析和實(shí)驗(yàn)研究.結(jié)果表明這種工藝方法能夠均勻反應(yīng)沉積1q粉末，制備優(yōu)質(zhì)光纖預(yù)制硅鉬棒。

    制作光纖的主要原料是鹵化物和氧化物，這些材料在常溫下是液體，但是沸點(diǎn)很低，當(dāng)高純氧氣通過這些液體時(shí)，就被氧氣攜帶進(jìn)人制硅鉬棒設(shè)備，之所以采用鹵化物是因?yàn)楦呒兊柠u化物幾乎可以完全除去過渡金屬離子，制硅鉬棒和拉絲是光纖制作的兩個(gè)關(guān)鍵步驟，一般來說拉絲過程不會(huì)改變預(yù)制硅鉬棒的折射率分布，而制硅鉬棒是光纖質(zhì)量好壞的決定性因素，當(dāng)前世界上的光纖基本采用4種工藝方法制成，它們是NICVD(改進(jìn)的化學(xué)汽相沉積法)、VAD(軸向汽相沉積法)，CVD(外汽相沉積法)和ICVD(等離子體激活的汽相沉積法)這4種工藝已經(jīng)成熟，且各具特色t在這基礎(chǔ)上，也提出了許多改進(jìn)的和新的光纖制作方法。

    改進(jìn)的方法中、MCVD工藝可以于初步沉積好的中間預(yù)制件外套上石英管套，以增大預(yù)制件的尺寸，使一根預(yù)制硅鉬棒的拉絲長(zhǎng)度可達(dá)到75一I20 km，這種方法也稱為套管技術(shù)，在VAl〕工藝中，采用多噴頭氫氧焰噴燈加速沉積速率，同樣可以增大預(yù)制件尺寸。

    新方法中，ALPD(軸向橫向等離子體沉積法)工藝吸收了VAD和pVAD(外軸向汽相沉積法)工藝特點(diǎn)，可以直接結(jié)合成透明的玻璃，無須燒縮和壓實(shí).M5P(機(jī)械成型法)是一種非CVf汽相沉積法)工藝，它把纖芯用的摻雜Si姚粉末和包層用的不摻雜Siq粉末用同軸填充機(jī)填充進(jìn)石英管，此粉末壓制品經(jīng)高溫穩(wěn)定化處理，形成多孔預(yù)制件，再用氯氣干燥和燒縮成為透明預(yù)制件這種工藝制作的光纖在1 550nrri處的損耗可以達(dá)到。2 cIB/km.單根光纖的制作長(zhǎng)度可以達(dá)到X50.溶膠一凝膠法是另一種非CVD光纖制作工藝，它的主要優(yōu)點(diǎn)是:①液相反應(yīng)，容易摻雜，并可獲得純度極高和均勻性極好的光纖;②能精確控制折射率，適用于制作特種光纖;③具有成本低大量生產(chǎn)的潛力。

    本文在傳統(tǒng)光纖工藝的基礎(chǔ)上，提出了一種新的加熱方法—硅鉑硅鉬棒電爐高溫沉積光纖預(yù)制硅鉬棒，并對(duì)其進(jìn)行理論分析和實(shí)驗(yàn)研究結(jié)果表明這種工藝方法能夠均勻反應(yīng)并沉積Siq粉末，可以制備優(yōu)質(zhì)光纖預(yù)制硅鉬棒。